法新社汉城报道，韩国DRAM芯片制造商Hynix半导体公司正在与它的欧洲竞争对手STMicroelectronics NV公司谈判在中国联手成立合资公司的事宜。韩国经济日报说，Hynix公司计划在合资项目中与STMicroelectronics各出资5亿美元，中国政府也将承担一定的投资。如果一切顺利，这一在中国合资新建的芯片制造厂的建设工程将于2005年启动。Hynix是世界第三大芯片制造商，其产品在韩国存储芯片总出口的30％。2002年年底，Hynix公司负债高达6.23万亿韩国元，在得到3.2万亿韩国元的紧急贷款输血才免于破产，国外竞争对手称这一紧急贷款是非法的政府补贴。

不久前路透社报道说，Hynix计划投资8亿美元，在江苏无锡建造一座制造DRAM芯片的晶圆厂。